PL
檢測(cè)原理
· 光致發(fā)光( Photoluminescence，簡(jiǎn)稱PL) ，太陽(yáng)電池的缺陷往往限制其光電轉(zhuǎn)換效率和使用壽命
· 光致發(fā)光可快速通過(guò)少子壽命變化進(jìn)行硅片檢測(cè)，其原理是利用光致發(fā)光原理獲取晶體硅的熒光照片，且有高分辨率，用以探測(cè)硅片的粗糙面及內(nèi)部破損情況
· 相對(duì)比EL測(cè)試需要接觸樣品才能進(jìn)行，PL測(cè)試不接觸樣品，因此可對(duì)生產(chǎn)電池片中各生產(chǎn)過(guò)程進(jìn)行監(jiān)控
| 項(xiàng)目 | 規(guī)格 |
| 設(shè)備尺寸 | 長(zhǎng)450mm寬450mm高770mm |
| 適用最大尺寸 | 175*175mm |
| 適用Wafer類型 | 單晶、多晶 |
最高產(chǎn)能 | >3600PCS/小時(shí) |
| 像素精度 | <0.34mm(0.5K 線掃相機(jī)) |
| 檢測(cè)缺陷精度 | <0.34mm |
UPTime | >98% |
| 項(xiàng)目 | 規(guī)格 |
黑心、黑邊、黑 | 單晶、多晶 |
| 隱裂 | 單晶、多晶 |
| 劃痕 | 單晶、多晶 |
污染 | 單晶、多晶 |
| 斷柵 | 單晶、多晶 |
燒結(jié)不均 | 單晶、多晶 |
| 位錯(cuò) | 多晶 |
| 破損 | 單晶、多晶 |
成像效果
